优点：
1.密度大
2.低余晖
3.探测效率高
4.抗辐照能力强
5.射线阻止能力强
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BGO锗酸铋晶体阵列
- 锗酸铋晶体（Bi4Ge3O12）晶体是一种立方晶系结构无机闪烁晶体，密度大，比重高，不潮解，低余晖，对射线阻止本领很强，抗辐照能力强。发射波长480nm，可以与PMT很好的匹配，是核医学成像的优良材料之一。
性能指标：
密度（g/cm3）
7.13
熔点（℃）
1323
热膨胀系数（C-1）
7 x 10-6
解理面
无
莫氏硬度(Mho)
5
吸潮
no
波长（nm）
480
最小发射峰波长（nm）
320
折射率
2.15
衰减时间（ns）
300
光产额（photons/keV）
8-10
相对光输出[% of NaI(Tl)] (for γ-rays)
15 - 20
1. 类型: 线阵和二维阵列
产品特点：
针对不同材质的材料，我司可以提供尽量小的像素尺寸
最小的串扰
晶条于晶条和阵列与阵列和批次与批次之间的均一性控制
反射材料：TiO2/BaSO4/ESR/E60
隔断间距: 0.08, 0.1, 0.2, 0.3mm
性能测试包括，散点图，能谱图，均一性测试2. 88805j新莆京提供不同材质的阵列来满足各种终端应用
我们可以提供包括 CsI(Tl), CsI(Na), CdWO4, LYSO,LSO, YSO, GAGG, BGO,LaBr3 等材质的阵列。根据应用和性能要求，我们可以提供基于TiO2/BaSO4/ESR/E60 的反射材料来做为封装隔断材料。我们的机加工可以实现最小像素的加工，最大限度的满足最优的性能指标和实现最小的串扰和均一性的控制。
3. 各种材质的性能指标：
性能指标
CsI(Tl)
GAGG
CdWO4
LYSO
LSO
BGO
GOS(Pr/Tb)
陶瓷LaBr3
密度（g/cm3）
4.51
6.6
7.9
7.15
7.3~7.4
7.13
7.34
4.9
吸潮性
轻微
无
无
无
无
无
无
极易
相对光输出(%NaI(Tl)) γ-rays
45
158(HL)/ 132(BL)/79(FD)
32
65-75
75
15-20
71/ 118
130-170
衰减时间(ns)
1000
150(HL)/ 90(BL)/48(FD)
14000
38-42
40
300
3000/ 600000
20
余晖@30ms
0.6-0.8%
0.1-0.2%
0.1-0.2%
N/A
N/A
0.1-0.2%
0.1-0.2%
N/A
阵列规格
线阵和二维
线阵和二维
线阵和二维
二维
二维
二维
线阵和
二维
二维
4. 阵列组装的加工设计
根据不同的最终用途和客户对不同的考量，88805j新莆京提供多种设计方案和设计来满足和服务于医疗，工业无损探伤和安检市场。
对低能X射线检测的安检行业，我司提供CsI(Tl), GOS, GAGG, CdWO4等闪烁体的线性阵列，我们可以提供P1.575, P2.5等不同间距和不同厚度的线阵。我司提供的线阵对闪烁体的均一性，发光效率等经过严格品控，像素和像素间，阵列与阵列间，批次与批次间的均一性严格的品控。
对于医疗ToF-PET, SPECT, CT,小动物和脑部PET扫描领域，我司可以提供LYSO, CsI(Tl), LSO, LYSO, GAGG, YSO和CsI(Na)阵列来满足不同应用场景和性能要求的需求。
线阵参考图
二维阵列参考图
4-A: 阵列参数: (A,B,C,D参考值)
A.1 材质: 根据用户的需求
A.2 像素大小: 线阵尺寸 A,B,C& 2D 二维面阵的 A, C 可根据用户需求调整
A.3 中心距: 线阵 A+B & 2D 面阵B, D 根据用户需要调整
A.4 隔断间距: 线阵最小 0.1mm 包含胶层 和面阵0.075mm (包含胶层)
A.5 阵列厚度: 根据需要可以提供订制
A.6 晶体表面处理: 抛光，研磨或者其他
4-B: 典型像素尺寸&数量
材料
典型值
晶条数量
线阵
面阵
线阵
面阵
CsI(Tl)
1.275x2.7
1x1mm
1x16
19x19
GAGG
1.275x2.7
0.5x0.5mm
1X16
8x8
CdWO4
1.275x2.7
3x3mm
1x16
8x8
LYSO/LSO/YSO
N/A
1X1mm
N/A
25x25
BGO
N/A
1x1mm
N/A
13X13
GOS(Tb/Pr) 陶瓷
1.275X2.7
1X1mm
1X16
19X19
4-C: 最小像素尺寸
材料
最小像素尺寸
线阵
二维
CsI(Tl)
0.4mm 中心距
0.5mm 中心距
GAGG
0.4mm 中心距
0.2mm中心距
CdWO4
0.4mm 中心距
1mm中心距
LYSO/LSO/YSO
N/A
0.2mm中心距
BGO
N/A
0.2mm中心距
GOS(Tb/Pr) 陶瓷
0.4mm 中心距
1mm 中心距
5.反射层和胶
反射材料
反射层和胶层厚度
线阵
面阵
TiO2
0.1-1mm
0.1—1mm
BaSO4
0.1mm
0.1-0.5mm
ESR
N/A
0.08mm
E60
N/A
0.075mm
6. 阵列应用
应用场景
CsI(Tl)
GAGG
CdWO4
LYSO
LSO
BGO
GOS(Tb/Pr) 陶瓷
PET, ToF-PET
√
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√
SPECT
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√
CT
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√
NDT
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√
包检
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√
卡车/集装箱
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√
√
伽马相机
√
√
7. 质量控制7-1.阵列能量分辨率测试(Na22)
7-2 散点图
7-3.相对光产测试
GAGG和LYSO相对光输出测试，和线阵的相对光输出上机测试。
7-4. 均一性
根据不同品质要求，提供 ±5%,±10%, ±15%等不同均一性要求的产品，我们从晶棒到晶块到晶条到组件提供品质筛选。
7-5.阵列内部缺陷测试
7-6.尺寸公差检测（千分尺和两项测量仪）
-
CsI(Tl)碘化铯晶体阵列
CdWO4钨酸镉晶体阵列
GAGG石榴石晶体阵列
LYSO硅酸钇镥晶体阵列
GOS阵列
LSO硅酸镥晶体阵列
YSO硅酸钇晶体阵列
LaBr3溴化镧晶体阵列
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