优点：
1.高平整度
2.高晶格匹配度（MCT）
3.高红外透过率
4.低位错密度
CZT 衬底
- CZT晶体是宽禁带II-VI族化合物半导体，可以看作是CdTe和ZnTe固溶而成。随着Zn加入量的不同，熔点在1092到1295摄氏度之间变化。CZT晶体被广泛用作红外探测器HgCdTe的外延衬底和室温核辐射探测器等。
性能特征：
密度（g/cm3）
5.8
晶向
<211><111>
晶向偏差
≤ ±0.3°
导电类型
P型
红外透过率
≥60% （2.5μm - 20μm）
双晶衍射半峰宽
≤30 rad.s
腐蚀坑密度
1x105/cm2 <111>; 5x104/cm2 <211>
表面
单面抛光/双面抛光
表面粗糙度
Ra≤5nm
包装
膜盒
-
LaAlO3衬底
MgO衬底
BaTiO3衬底
SrTiO3衬底
KTaO3衬底
CdTe衬底
LSAT衬底
BGO单晶
MgAl2O4 衬底
Ge衬底
LiAlO2 衬底
CdTe衬底
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