优点：
1.优良的热学、力学、化学和电学性质
2.制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料
3.可用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料
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SiC衬底
- 碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。
性能指标：
生长方法 MOCVD 晶体结构 六方 晶格常数 a=3.07 Å c=15.117 Å 排列次序 ABCACB 方向 生长轴或 偏<0001> 3.5 º 带隙 3.02 eV (间接) 硬度(Mho) 9.2 密度（g/cm3） 3.21 折射率 no=2.55 ne=2.59 热传导@300K 3 - 5 x 106W/ m 介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 -
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